Η Samsung ξεκινά τη μαζική παραγωγή του SoC που βασίζεται στην τεχνολογία 10nm FinFET

samsung1

Η Samsung ανακοίνωσε σήμερα ότι έχει ξεκινήσει τη μαζική παραγωγή του System-on-Chip (SoC) που βασίζεται στη τεχνολογία 10 νανομέτρων (nm) FinFET, όπως είχε υποσχεθεί πέρυσι. Ισχυρίζεται επίσης, ότι είναι η πρώτη στον κλάδο που θα κατασκευάσουν 10nm SoCs, πριν από την Intel.

Η Samsung δήλωσε ότι η νέα διαδικασία 10nm FinFET (10LPE) υιοθετεί μια προηγμένη 3D δομή τρανζίστορ με πρόσθετες βελτιώσεις τόσο στην τεχνολογία και το σχεδιασμό των λύσεων σε σχέση με τα 14nm τον προκάτοχό του, επιτρέποντας έως και 30% αύξηση της αποδοτικότητας με 27% υψηλότερη απόδοση ή 40% χαμηλότερη κατανάλωση ενέργειας. Για να ξεπεραστούν οι περιορισμοί, οι τεχνικές σαν την triple-patterning επιτρέπουν αμφίδρομη δρομολόγηση και χρησιμοποιούνται επίσης για να διατηρήσουν το σχεδιασμό και ευελιξία από τα προηγούμενα μοντέλα.

Μετά τη πρώτη γενιά των SoCs στα 10nm (10LPE), η 2ης γενιά (10LPP) θα έρθει με αύξηση της απόδοσης και αναμένεται να παραχθούν μαζικά κατά το δεύτερο εξάμηνο του 2017, δήλωσε η Samsung. Η εταιρεία δήλωσε επίσης ότι τα SoCs με την τεχνολογία επεξεργασίας 10nm θα χρησιμοποιούνται σε ψηφιακές συσκευές που θα ξεκινήσουν στις αρχές του επόμενου έτους και αναμένεται να γίνουν πιο ευρέως διαθέσιμες μέσα στο 2017. Αυτός πρέπει να είναι ο Exynos 8895 επεξεργαστής, διάδοχός του Exynos 8 Octa 8890, η οποία αναμένεται στην εξουσία η ναυαρχίδα Galaxy S8 smartphone που θα κυκλοφορήσει το 1ο τρίμηνο του 2017.




%d bloggers like this: