Κατά τη διάρκεια του 5ου ετήσιου Φόρουμ Χυτηρίου (SFF) 2021, η Samsung παρουσίασε τον χάρτη πορείας τους για τους κόμβους διαδικασίας 3nm και 2nm με βάση τη δομή των τρανζίστορ Gate-All-Around (GAA). Σύμφωνα με την εταιρεία, τα τσιπ βασισμένα σε 3nm έχουν προγραμματιστεί να ξεκινήσουν την παραγωγή τους στο πρώτο εξάμηνο του 2022, ενώ τα τσιπ με βάση τα 2nm θα φτάσουν το 2025.
Η Samsung εργάζεται συνεχώς για τη μετεγκατάσταση των κόμβων διεργασιών τους στα τελευταία της βιομηχανίας. Ο κόμβος διαδικασίας 3nm θα χρησιμοποιεί τόσο τεχνολογία GAA όσο και τεχνολογία Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET), με αποτέλεσμα έως και 35 % μείωση της περιοχής, 30 % υψηλότερη απόδοση ή 50 % χαμηλότερη κατανάλωση ενέργειας σε σύγκριση με τον κόμβο διεργασίας 5nm.
Η Samsung Foundry θα ξεκινήσει την παραγωγή τσιπ των 3nm για πελάτες το 2022 και η εταιρεία αναμένει επίσης ότι η 2η γενιά της διαδικασίας 3nm θα είναι διαθέσιμη το 2023.