Η Samsung θα εισάγει κόμβο διεργασίας 2nm με τεχνολογία Gate-All-Around (GAA) το 2025

Sasmung-MBCFET

Κατά τη διάρκεια του 5ου ετήσιου Φόρουμ Χυτηρίου (SFF) 2021, η Samsung παρουσίασε τον χάρτη πορείας τους για τους κόμβους διαδικασίας 3nm και 2nm με βάση τη δομή των τρανζίστορ Gate-All-Around (GAA). Σύμφωνα με την εταιρεία, τα τσιπ βασισμένα σε 3nm έχουν προγραμματιστεί να ξεκινήσουν την παραγωγή τους στο πρώτο εξάμηνο του 2022, ενώ τα τσιπ με βάση τα 2nm θα φτάσουν το 2025.

Η Samsung εργάζεται συνεχώς για τη μετεγκατάσταση των κόμβων διεργασιών τους στα τελευταία της βιομηχανίας. Ο κόμβος διαδικασίας 3nm θα χρησιμοποιεί τόσο τεχνολογία GAA όσο και τεχνολογία Multi-Bridge-Channel FET (MBCFET), με αποτέλεσμα έως και 35 % μείωση της περιοχής, 30 % υψηλότερη απόδοση ή 50 % χαμηλότερη κατανάλωση ενέργειας σε σύγκριση με τον κόμβο διεργασίας 5nm.

Η Samsung Foundry θα ξεκινήσει την παραγωγή τσιπ των 3nm για πελάτες το 2022 και η εταιρεία αναμένει επίσης ότι η 2η γενιά της διαδικασίας 3nm θα είναι διαθέσιμη το 2023.

Όσον αφορά τα 2nm, η Samsung βρίσκεται στα πρώτα στάδια της ανάπτυξης του κόμβου διαδικασίας με το MBCFET και αναμένει να ξεκινήσει η μαζική παραγωγή το 2025. Aυτό σημαίνει ότι ο τελικός καταναλωτής θα δει αυτά τα τσιπ σε συσκευές από το 2026 και μετά.